Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    13 left arrow 12.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    39 left arrow 44
    Wokół strony -13% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.4 left arrow 8.2
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    44 left arrow 39
  • Prędkość odczytu, GB/s
    13.0 left arrow 12.3
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.2 left arrow 8.4
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2069 left arrow 2019
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania