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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
比较
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
总分
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
总分
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
44
左右 -13% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
44
39
读取速度,GB/s
13.0
12.3
写入速度,GB/s
8.2
8.4
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2069
2019
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB RAM的比较
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
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