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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
比較する
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Kingston 9905678-023.A00G 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
総合得点
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
34
周辺 18% 低遅延
考慮すべき理由
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
14.7
10.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.6
7.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
8500
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
34
読み出し速度、GB/s
10.9
14.7
書き込み速度、GB/秒
7.1
9.6
メモリ帯域幅、mbps
8500
17000
Other
商品説明
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1668
2569
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