RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
34
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
34
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1668
2569
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link