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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB vs SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB

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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 46
    周辺 33% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12 left arrow 11.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.6 left arrow 8.0
    テスト平均値
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    31 left arrow 46
  • 読み出し速度、GB/s
    12.0 left arrow 11.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.6 left arrow 8.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2066 left arrow 1854

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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
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メモリRAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
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メモリRAM
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
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Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
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メモリRAM
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
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Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
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Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
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