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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB vs SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB

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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 46
    周辺 33% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12 left arrow 11.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.6 left arrow 8.0
    テスト平均値
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仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    31 left arrow 46
  • 読み出し速度、GB/s
    12.0 left arrow 11.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.6 left arrow 8.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2066 left arrow 1854

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB RAMの比較

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