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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB vs SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
46
Por volta de 33% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12
11.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
8.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
31
46
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
11.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
8.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
12800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2066
1854
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
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