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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
総合得点
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
3
17.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
65
周辺 -86% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
12.1
1,592.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
5300
周辺 4.83 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
65
35
読み出し速度、GB/s
3,580.8
17.6
書き込み速度、GB/秒
1,592.0
12.1
メモリ帯域幅、mbps
5300
25600
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
572
3221
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Frequency (Mhz) *
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Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
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