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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
総合得点
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
39
周辺 38% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16
14.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
13.1
12.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
19200
周辺 1.11 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
24
39
読み出し速度、GB/s
16.0
14.8
書き込み速度、GB/秒
12.5
13.1
メモリ帯域幅、mbps
19200
21300
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
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