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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
総合得点
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
32
周辺 25% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
17000
周辺 1.13% 高帯域
考慮すべき理由
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
17
16
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.5
12.5
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
24
32
読み出し速度、GB/s
16.0
17.0
書き込み速度、GB/秒
12.5
15.5
メモリ帯域幅、mbps
19200
17000
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
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