RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
比較する
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
総合得点
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
32
周辺 25% 低遅延
考慮すべき理由
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
17.5
16
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
19200
周辺 1.11 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
24
32
読み出し速度、GB/s
16.0
17.5
書き込み速度、GB/秒
12.5
12.5
メモリ帯域幅、mbps
19200
21300
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2925
3103
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAMの比較
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link