Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

総合得点

Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB

Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

24 38

周辺 37% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

16 14

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

12.5 10.2

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 17000

周辺 1.13% 高帯域

Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB

考慮すべき理由
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB

バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

24 38
読み出し速度、GB/s

16.0 14.0
書き込み速度、GB/秒

12.5 10.2
メモリ帯域幅、mbps

19200 17000

Other

商品説明

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2925 2407

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

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Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB

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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

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Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB

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SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB

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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

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Kingston 99U5702-094.A00G 8GB

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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB

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