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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
総合得点
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
89
周辺 73% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16
13.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.5
6.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
24
89
読み出し速度、GB/s
16.0
13.6
書き込み速度、GB/秒
12.5
6.8
メモリ帯域幅、mbps
19200
19200
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2925
1518
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAMの比較
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Crucial Technology BL51264BA160A.16FH 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
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