RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
比較する
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
総合得点
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
33
周辺 27% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16
15
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.5
10.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
19200
周辺 1.11 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
24
33
読み出し速度、GB/s
16.0
15.0
書き込み速度、GB/秒
12.5
10.4
メモリ帯域幅、mbps
19200
21300
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2925
2827
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAMの比較
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M2S4G64CB8HD5N-CG 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link