RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB

総合得点
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 34
    周辺 29% 低遅延
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.2 left arrow 16
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.4 left arrow 12.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
    周辺 1.11 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    24 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    16.0 left arrow 17.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.5 left arrow 13.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2925 left arrow 3055

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAMの比較

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
メモリRAM
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
メモリRAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
メモリRAM
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
メモリRAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
メモリRAM