Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

総合得点

G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB

G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

24 26

周辺 8% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 17000

周辺 1.13% 高帯域

G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB

考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

18.6 16

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

13.9 12.5

テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

24 26
読み出し速度、GB/s

16.0 18.6
書き込み速度、GB/秒

12.5 13.9
メモリ帯域幅、mbps

19200 17000

Other

商品説明

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2925 3406

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB

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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

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Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB

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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

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Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB

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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

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G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB

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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

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Kingston 99U5701-003.A00G 16GB

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A-DATA Technology DQVE1908 512MB

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