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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905702-008.A00G 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
総合得点
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
33
周辺 27% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16
14.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.5
8.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
19200
周辺 1.11 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
24
33
読み出し速度、GB/s
16.0
14.9
書き込み速度、GB/秒
12.5
8.8
メモリ帯域幅、mbps
19200
21300
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2447
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
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