Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9965667-001.A00G 16GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

総合得点

Kingston 9965667-001.A00G 16GB

Kingston 9965667-001.A00G 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

24 39

周辺 38% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

16 10.1

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

12.5 7.7

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 17000

周辺 1.13% 高帯域

Kingston 9965667-001.A00G 16GB

考慮すべき理由
Kingston 9965667-001.A00G 16GB

バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Kingston 9965667-001.A00G 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

24 39
読み出し速度、GB/s

16.0 10.1
書き込み速度、GB/秒

12.5 7.7
メモリ帯域幅、mbps

19200 17000

Other

商品説明

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2925 2168

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB

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G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB

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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

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Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB

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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

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AMD R744G2133U1S 4GB

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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

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Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB

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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

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