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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston KVT8FP-HYC 4GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

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Kingston KVT8FP-HYC 4GB

Kingston KVT8FP-HYC 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 40
    周辺 40% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16 left arrow 14.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.5 left arrow 9.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5% 高帯域
Kingston KVT8FP-HYC 4GB 考慮すべき理由
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    24 left arrow 40
  • 読み出し速度、GB/s
    16.0 left arrow 14.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.5 left arrow 9.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2925 left arrow 2432

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メモリRAM
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Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Kingston 9905701-022.A00G 16GB
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