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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

総合得点
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SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 49
    周辺 51% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16 left arrow 8.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.5 left arrow 8.4
    テスト平均値
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
    周辺 1.11 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    24 left arrow 49
  • 読み出し速度、GB/s
    16.0 left arrow 8.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.5 left arrow 8.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2925 left arrow 2331

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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
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Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
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Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
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メモリRAM
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Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
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Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
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メモリRAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
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