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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
総合得点
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
27
周辺 11% 低遅延
考慮すべき理由
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
17
16
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.3
12.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
19200
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
24
27
読み出し速度、GB/s
16.0
17.0
書き込み速度、GB/秒
12.5
13.3
メモリ帯域幅、mbps
19200
25600
Other
商品説明
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
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