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Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB

Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB

総合得点
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Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB

Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB

総合得点
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Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB

Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB 考慮すべき理由
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 17000
    周辺 1.25% 高帯域
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB 考慮すべき理由
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    20 left arrow 75
    周辺 -275% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.7 left arrow 14.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.5 left arrow 6.3
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    75 left arrow 20
  • 読み出し速度、GB/s
    14.3 left arrow 19.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.3 left arrow 15.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1548 left arrow 3404

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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
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Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
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メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
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メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Maxsun MSD48G26Q3 8GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
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Kingston 9905678-138.A00G 8GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Maxsun MSD48G26Q3 8GB
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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