RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Сравнить
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB против Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
-->
Средняя оценка
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Средняя оценка
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
75
Около -275% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.7
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
6.3
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
20
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
19.7
Скорость записи, Гб/сек
6.3
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1548
3404
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link