Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB

総合得点

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

総合得点

G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

考慮すべき理由
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

27 32

周辺 16% 低遅延

G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB

考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

20.5 10.1

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

15.5 6.2

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 10600

周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

27 32
読み出し速度、GB/s

10.1 20.5
書き込み速度、GB/秒

6.2 15.5
メモリ帯域幅、mbps

10600 21300

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1411 3672

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB

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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB

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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB

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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB

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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

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Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB

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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

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Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB

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