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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
総合得点
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
総合得点
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
5
18.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,160.7
14.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
43
周辺 -54% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
43
28
読み出し速度、GB/s
5,987.5
18.1
書き込み速度、GB/秒
2,160.7
14.8
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
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