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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
総合得点
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
5
13.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,160.7
10.1
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
43
周辺 -54% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
43
28
読み出し速度、GB/s
5,987.5
13.8
書き込み速度、GB/秒
2,160.7
10.1
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
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