RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 16.2
    テスト平均値
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 46
    周辺 -31% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.2 left arrow 1,519.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 3200
    周辺 6.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    2,909.8 left arrow 16.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,519.2 left arrow 13.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    3200 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    241 left arrow 3299

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAMの比較

Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB RAMの比較

G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
メモリRAM
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
メモリRAM
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
メモリRAM
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
メモリRAM