RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
46
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
35
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3299
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link