Porównanie pamięci RAM Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Wynik ogólny

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

28 71

Wokół strony -154% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

11.4 1,322.6

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

17000 5300

Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

399 2481

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns