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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
総合得点
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
4
17.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,475.5
14.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
56
周辺 -143% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
8800
周辺 2.42 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
56
23
読み出し速度、GB/s
4,878.3
17.5
書き込み速度、GB/秒
2,475.5
14.6
メモリ帯域幅、mbps
8800
21300
Other
商品説明
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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