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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Pontuação geral
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,475.5
14.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
56
Por volta de -143% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8800
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
23
Velocidade de leitura, GB/s
4,878.3
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,475.5
14.6
Largura de banda de memória, mbps
8800
21300
Other
Descrição
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
598
3260
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB Comparações de RAM
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
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