RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

総合得点
star star star star star
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

総合得点
star star star star star
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB 考慮すべき理由
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 37
    周辺 27% 低遅延
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB 考慮すべき理由
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16 left arrow 13.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.6 left arrow 8.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    13.9 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.9 left arrow 12.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2418 left arrow 2808

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB RAMの比較

Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
メモリRAM
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
メモリRAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
メモリRAM
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
メモリRAM
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
メモリRAM