Kingston 9905469-143.A00LF 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB

総合得点

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

総合得点

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

考慮すべき理由
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

27 33

周辺 18% 低遅延

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB

考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

16.9 13.2

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

13.2 8.4

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 12800

周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

27 33
読み出し速度、GB/s

13.2 16.9
書き込み速度、GB/秒

8.4 13.2
メモリ帯域幅、mbps

12800 21300

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2163 3134

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB

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Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB

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Mushkin 991586 2GB

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