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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
総合得点
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
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考慮すべき理由
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考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
30
周辺 -3% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
13.5
9.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.2
6.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
30
29
読み出し速度、GB/s
9.8
13.5
書き込み速度、GB/秒
6.4
10.2
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1927
2088
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Frequency (Mhz) *
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