Kingston 9965525-155.A00LF 8GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB

総合得点

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

総合得点

Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

考慮すべき理由
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

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Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB

考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

25 69

周辺 -176% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

15.4 6.4

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

11.9 3.7

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 10600

周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

69 25
読み出し速度、GB/s

6.4 15.4
書き込み速度、GB/秒

3.7 11.9
メモリ帯域幅、mbps

10600 19200

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1129 2635

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB

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Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB

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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

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Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB

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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

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Kingston KCDT82-MIE 4GB

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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

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Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB

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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

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Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N

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