RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB

総合得点
star star star star star
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

総合得点
star star star star star
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB

Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB 考慮すべき理由
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 17.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,036.1 left arrow 12.6
    テスト平均値
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB 考慮すべき理由
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 75
    周辺 -134% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    75 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    3,986.4 left arrow 17.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,036.1 left arrow 12.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    714 left arrow 3023

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB RAMの比較

Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
メモリRAM