RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
比較する
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
総合得点
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
総合得点
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
31
周辺 10% 低遅延
考慮すべき理由
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
18
9.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
16.5
5.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
31
読み出し速度、GB/s
9.7
18.0
書き込み速度、GB/秒
5.2
16.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1731
3729
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB RAMの比較
Wilk Elektronik S.A. GR1600S3V64L11/8G 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link