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Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
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Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Pontuação geral
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
31
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.5
5.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
31
Velocidade de leitura, GB/s
9.7
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
5.2
16.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1731
3729
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
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