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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB

総合得点
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

総合得点
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB 考慮すべき理由
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB 考慮すべき理由
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.3 left arrow 11.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.8 left arrow 8.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    11.9 left arrow 18.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.5 left arrow 15.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1620 left arrow 3899

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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
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メモリRAM
Kingston K531R8-MIN 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
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メモリRAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
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Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
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メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
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メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
メモリRAM
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M391B1G73BH0-YK0 8GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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