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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
総合得点
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
総合得点
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
56
周辺 52% 低遅延
考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
20.1
11.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.5
8.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
56
読み出し速度、GB/s
11.5
20.1
書き込み速度、GB/秒
8.5
10.5
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Frequency (Mhz) *
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