Comparación de la memoria RAM Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Puntuación global

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

27 56

En 52% menor latencia

Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

20.1 11.5

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

10.5 8.5

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 10600

En 1.81 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1756 2455

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns