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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB

Kingston K1N7HK-ELC 2GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB

総合得点
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Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

総合得点
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Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB

Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston K1N7HK-ELC 2GB 考慮すべき理由
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
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Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 26
    周辺 -13% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.9 left arrow 12.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.5 left arrow 7.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    12.6 left arrow 19.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.7 left arrow 16.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1820 left arrow 3832

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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Kingston 9905678-065.A00G 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
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メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Kingston HX421C14FB/4 4GB
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メモリRAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
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Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
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メモリRAM
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
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Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
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メモリRAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
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Kingston HP698651-154-MCN 8GB
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G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
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Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
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