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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
総合得点
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
総合得点
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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考慮すべき理由
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
45
周辺 -88% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
20.1
12
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
16.1
7.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
45
24
読み出し速度、GB/s
12.0
20.1
書き込み速度、GB/秒
7.8
16.1
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1939
3778
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
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