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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gesamtnote
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
45
Rund um -88% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.1
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.1
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
20.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
16.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1939
3778
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
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DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
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Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
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