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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
45
左右 -88% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.1
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
24
读取速度,GB/s
12.0
20.1
写入速度,GB/s
7.8
16.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
3778
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
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