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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razões a considerar
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
45
Por volta de -88% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.1
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.1
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
24
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
20.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
16.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
3778
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
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Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
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