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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
比较
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB vs Kingston 9905625-076.A00G 8GB
总分
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
总分
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
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规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
27
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
24
读取速度,GB/s
13.3
15.7
写入速度,GB/s
8.3
11.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2320
2631
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB RAM的比较
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
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