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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
60
左右 -100% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
30
读取速度,GB/s
4,595.2
15.6
写入速度,GB/s
2,168.2
10.4
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
2688
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
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