RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Porównaj
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB vs Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2320
2631
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link