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Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

総合得点
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Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston KF552C40-16 16GB 考慮すべき理由
Kingston KF552C40-16 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.5 left arrow 14.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.2 left arrow 9.0
    テスト平均値
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
    周辺 1.11 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR5 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    30 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    15.5 left arrow 14.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    13.2 left arrow 9.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    no data / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    3343 left arrow 2374

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メモリRAM
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
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メモリRAM
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
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