Kingston KF552C40-16 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

-->

Средняя оценка

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

Средняя оценка

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston KF552C40-16 16GB

Причины выбрать
Kingston KF552C40-16 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.5 14.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.2 9.0

Среднее значение в тестах

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

21300 19200

Около 1.11 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston KF552C40-16 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR5 DDR4
Задержка в PassMark, нс

30 30
Скорость чтения, Гб/сек

15.5 14.5
Скорость записи, Гб/сек

13.2 9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

19200 21300

Other

Описание

PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

no data / 2400 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3343 2374

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB

Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB

ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB

ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB

модули RAM

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB

Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB

Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB

G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB

модули RAM

Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB

Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB

Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB

Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB

SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB

Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB

Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-010.A00LF 4GB

Kingston 9965525-010.A00LF 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB

G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB

модули RAM